生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.72 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级(Eas): | 98 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A | 最大漏极电流 (ID): | 20 A |
最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-257AA | JESD-30 代码: | R-XSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 75 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 参考标准: | RH - 100K Rad(Si) |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 88 ns |
最大开启时间(吨): | 136 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRHLYS77034CMSCS | INFINEON |
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Rad hard, 60V, 20A, single, N-channel MOSFET, R7 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-257A | |
IRHLYS77034CMSCSA | INFINEON |
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Rad hard, 60V, 20A, single, N-channel MOSFET, R7 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-257A | |
IRHLYS793034CM | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRHLYS793034CMS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHLYS797034CM | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA) | |
IRHLYS797034CMS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHLYS797034CMSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHLYS797034CMSCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHM150 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA | |
IRHM250 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |