是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.3 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | RADIATION HARDENED |
雪崩能效等级(Eas): | 181 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.074 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-257AA |
JESD-30 代码: | R-XSFM-P3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500; RH - 100K Rad(Si) |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 185 ns | 最大开启时间(吨): | 297 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRHLYS797034CMS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHLYS797034CMSA | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHLYS797034CMSCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IRHM150 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA | |
IRHM250 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA | |
IRHM2C50SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A) | |
IRHM2C50SED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRHM2C50SEDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRHM2C50SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRHM2C50SEU | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |