5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 181 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.074 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-257AA |
| JESD-30 代码： | R-XSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500; RH - 100K Rad(Si) |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 185 ns | 最大开启时间（吨）： | 297 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHLYS797034CMS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRHLYS797034CMSA | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRHLYS797034CMSCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRHM150 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
|
| IRHM250 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
|
| IRHM2C50SE | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A) |
|
| IRHM2C50SED | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRHM2C50SEDPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRHM2C50SEPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRHM2C50SEU | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
