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IRHLNJ73034SCS

更新时间： 2024-09-16 21:16:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 209K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRHLNJ73034SCS 技术参数

生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
雪崩能效等级（Eas）：63 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.039 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：57 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
参考标准：RH - 300K Rad(Si)表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：84 ns最大开启时间（吨）：171 ns
Base Number Matches：1

IRHLNJ73034SCS 数据手册

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PD-97301D  
2N7606U3  
IRHLNJ77034  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
60V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
IRHLNJ77034  
IRHLNJ73034  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
22A*  
22A*  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
0.039Ω  
0.039Ω  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
Light Weight  
n
ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@V  
@V  
= 4.5V,T = 25°C  
Continuous Drain Current  
22*  
D
GS  
GS  
C
A
I
D
= 4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
20  
88  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
57  
W
W/°C  
V
D
C
0.45  
±10  
63  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current   
mJ  
A
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
5.7  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
8.8  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/20/15  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLNJ77034 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHLNJ77034SCS INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 22A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad(
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 		Rad hard, 60V, 22A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad(
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