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IRHLNJ797034B

更新时间： 2024-09-16 19:39:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN

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IRHLNJ797034B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：79 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.072 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：57 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A参考标准：RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：202 ns最大开启时间（吨）：282 ns
Base Number Matches：1

IRHLNJ797034B 数据手册

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PD-97302B  
2N7624U3  
IRHLNJ797034  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
60V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
IRHLNJ797034  
IRHLNJ793034  
Radiation Level RDS(on)  
100K Rads (Si) 0.072Ω  
300K Rads (Si) 0.072Ω  
ID  
22A*  
22A*  
SMD-0.5  
Features:  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS  
and TTL control circuits to power devices in space and  
other radiation environments. The threshold voltage  
remains within acceptable operating limits over the  
full operating temperature and post radiation. This is  
achieved while maintaining single event gate rupture  
and single event burnout immunity.  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
These devices are used in applications such as current  
boost low signal source in PWM, voltage comparator  
and operational amplifiers.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@V  
@V  
= -4.5V,T = 25°C Continuous Drain Current  
-22*  
-14.9  
-88  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
DM  
@ T = 25°C  
P
57  
W
W/°C  
V
D
C
0.45  
±10  
V
GS  
E
79  
mJ  
A
AS  
I
-22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
5.7  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-12.3  
-55 to 150  
T
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
STG  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/23/12  
1234567...9

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与IRHLNJ797034B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLNJ797034SCS INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
IRHLNJ797034SCSA INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHLNJ797034SCSB INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
IRHLNJ797034SCV INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
IRHLNM73110 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHLNM73110SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHLNM77110 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHLNM77110_15 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHLNM77110SCS INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 6.5A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
IRHLNM77110SCV INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 6.5A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra

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