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IRHLNM7S7214

更新时间： 2024-09-17 11:01:15

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	961K
描述
Rad hard, 250V, 3.2A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 krad(Si) TID, COTS

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IRHLNM7S7214 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.72
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	17.6 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.2 A
最大漏极电流 (ID)：	3.2 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	23.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12.8 A	参考标准：	RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	67 ns
最大开启时间（吨）：	52 ns	Base Number Matches：	1

IRHLNM7S7214 数据手册

PD-97852A

IRHLNM7S7214

2N7611U8

250V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-0.2)

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

I_D

IRHLNM7S7214

IRHLNM7S3214

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

3.2A

1.1

Refer to Page 9 for 2 Additional Part Numbers -

IRHLNMC7S7214 and IRHLNMC7S3214 (CERAMIC LID)

SMD-0.2

(METAL LID)

Description

IR HiRel R7 S-line Logic Level Power MOSFETs provide

simple solution to interfacing CMOS and TTL control

circuits to power devices in space and other radiation

environments. The threshold voltage remains within

acceptable operating limits over the full operating

temperature and post radiation. This is achieved while

maintaining single event gate rupture and single event

burnout immunity.

Features

 5V CMOS and TTL Compatible

 Fast Switching

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Hermetically Sealed

The device is ideal when used to interface directly with

most logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other

device types that operate from a 3.3-5V source. It may

also be used to increase the output current of a PWM,

voltage comparator or an operational amplifier where the

logic level drive signal is available.

 Ceramic Package

 Surface Mount

 Light Weight

 ESD Rating: Class 1B per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Symbol

I_D1@ V_GS= 4.5V, T_C= 25°C

I_D2@ V_GS= 4.5V, T_C= 100°C

I_DM@T_C= 25°C

Value

Parameter

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current 

Maximum Power Dissipation

Units

3.2

2.0

12.8

23.2

0.18

± 10

17.6

3.2

P_D@T_C= 25°C

W/°C

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

V_GS

E_AS

I_AR

E_AR

dv/dt

T_J

2.32

V/ns

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (for 5s)

Weight

0.25 (Typical)

For Footnotes, refer to the page 2.

2019-01-24

International Rectifier HiRel Products, Inc.

12 3 4 5 6 7...10

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