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IRHLNJ797034SCS

更新时间： 2024-09-17 11:01:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 218K
描述
Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad(Si) TID, QIRL

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IRHLNJ797034SCS 技术参数

生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.68雪崩能效等级（Eas）：79 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：57 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A参考标准：MIL-19500
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：202 ns
最大开启时间（吨）：282 nsBase Number Matches：1

IRHLNJ797034SCS 数据手册

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PD-97302C  
2N7624U3  
IRHLNJ797034  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
60V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
IRHLNJ797034  
IRHLNJ793034  
Radiation Level RDS(on)  
100K Rads (Si) 0.072Ω  
300K Rads (Si) 0.072Ω  
ID  
22A*  
22A*  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Surface Mount  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Light Weight  
n
ESD Rating: Class 1C per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@V  
@V  
= -4.5V,T = 25°C Continuous Drain Current  
-22*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
-14.9  
-88  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
57  
W
W/°C  
V
D
C
0.45  
±10  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current   
GS  
E
79  
mJ  
A
AS  
I
-22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
5.7  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-12.3  
-55 to 150  
T
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/02/16  
1234567...9

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与IRHLNJ797034SCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLNJ797034SCSA INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHLNJ797034SCSB INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
IRHLNJ797034SCV INFINEON

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 		Rad hard, -60V, -22A, single, P-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
IRHLNM73110 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHLNM73110SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHLNM77110 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHLNM77110_15 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHLNM77110SCS INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 6.5A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
IRHLNM77110SCV INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 6.5A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 100 kra
IRHLNM7S3214 INFINEON

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 		Rad hard, 250V, 3.2A, single, N-channel MOSFET, R7 in a SMD-0.2 package - SMD-0.2, 300 kra

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