5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 其他特性： | RADIATION HARDENED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHF7310 | ETC |
获取价格 |
|
|
| IRHF7310SE | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=4.5ohm, Id=1.15A) |
|
| IRHF7330SE | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-205AF) |
|
| IRHF7330SEPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRHF7330SESCSPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRHF7430SE | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
|
| IRHF7430SEPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 1.77ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRHF7430SESCS | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHF7430SESCSPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHF8110 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
