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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHF93130
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IRHF93130

更新时间： 2024-09-14 21:53:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A)

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IRHF93130 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.27其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-CBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRHF93130 数据手册

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PD - 90882F  
IRHF9130  
JANSR2N7389  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
100V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/630  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF9130  
100K Rads (Si)  
0.30Ω  
0.30Ω  
-6.5A  
JANSR2N7389  
IRHF93130 300K Rads (Si)  
-6.5A  
JANSF2N7389  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTM technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-39  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
ProtonTolerant  
SimpleDriveRequirements  
EaseofParalleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
LightWeight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-6.5  
-4.1  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-26  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
25  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
165  
mJ  
A
AS  
I
-6.5  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-22  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
0.98 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
2/18/03  
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IRHF93130 替代型号

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