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IRHG6110

更新时间： 2024-09-14 21:55:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 193K
描述
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY

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IRHG6110 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-CDIP-T14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：56 mJ
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.75 A最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-036ABJESD-30 代码：R-CDIP-T14
JESD-609代码：e0元件数量：4
端子数量：14工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHG6110 数据手册

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PD - 93783E  
IRHG6110  
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL  
RAD-Hard™ HEXFET®  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
MOSFET TECHNOLOGY  
THRU-HOLE (MO-036AB)  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
CHANNEL  
IRHG6110  
IRHG63110  
IRHG6110  
IRHG63110  
100K Rads (Si)  
300K Rads (Si)  
100K Rads (Si)  
0.6Ω  
0.6Ω  
1.1Ω  
1.0A  
N
N
P
P
1.0A  
-0.75A  
-0.75A  
300K Rads (Si) 1.1Ω  
MO-036AB  
International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET  
Technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a decade  
of proven performance and reliability in satellite applica-  
tions. These devices have been characterized for both  
Total Dose and Single Event Effects (SEE). The combina-  
tion of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC con-  
verters and motor control. These devices retain all of the  
well established advantages of MOSFETs such as voltage  
control, fast switching, ease of paralleling and tempera-  
ture stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Parameter  
=± 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
N-Channel  
P-Channel  
-0.75  
-0.5  
Units  
I
@ V  
@ V  
1.0  
D
GS  
C
A
I
=± 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
0.6  
D
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
4.0  
-3.0  
DM  
@ T = 25°C  
P
1.4  
1.4  
W
W/°C  
V
D
C
0.011  
±20  
0.011  
±20  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current ➀  
GS  
E
56 ➀  
1.0  
75➀➀  
-0.75  
0.14  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction  
0.14  
2.4 ➀  
mJ  
V/ns  
2.4 ➀  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)  
1.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
07/17/01  
1234567...14

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与IRHG6110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHG6110SCS INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.7ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel,
IRHG63110 INFINEON

获取价格

 		100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RAD-Hard HEXFET MOSFET TECHNOLOGY
IRHG7110 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
IRHG7110SCS INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRHG7214 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHG7214PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 250V, 2.4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IRHG9110 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
IRHG9110SCS INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 100V, 4-Element, P-Channel, Silicon, Met

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