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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 10 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHLF6970Z4 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE |
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| IRHLF6970Z4PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRHLF730Z4 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRHLF730Z4PBF | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRHLF730Z4SCS | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRHLF73110 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRHLF73214 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET |
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| IRHLF740Z4 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRHLF770Z4 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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| IRHLF770Z4SCS | INFINEON |
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Rad hard, 60V, 1.6A, single, N-channel MOSFET, R7 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 kr |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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