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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRHLF730Z4
IRHLF730Z4 PDF预览

IRHLF730Z4

更新时间： 2024-09-15 21:55:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)

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IRHLF730Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.2
其他特性：CMOS COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：1.6 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHLF730Z4 数据手册

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PD - 94695B  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
IRHLF770Z4  
60V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLF770Z4 100K Rads (Si)  
IRHLF730Z4 300K Rads (Si)  
IRHLF740Z4 600K Rads (Si)  
0.5Ω  
0.5Ω  
0.5Ω  
1.6A*  
1.6A*  
1.6A*  
1.6A*  
IRHLF780Z4 1000K Rads (Si) 0.5Ω  
T0-39  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS  
and TTL control circuits to power devices in space  
and other radiation environments. The threshold  
voltage remains within accptable operating limits  
over the full operating temperature and post radiation.  
This is achieved while maintaining single event gate  
rupture and single event burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Complimentary P-Channel Available -  
IRHLF7970Z4  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
1.6*  
D
GS  
C
A
I
D
= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current  
1.0*  
6.4  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
5.0  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.04  
±10  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
9.0  
mJ  
A
AS  
I
1.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
0.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in/1.6mm from case for 10s)  
0.98 (Typical)  
* Derated to match the Complimentary P-Channel Logic Level Power Mosfet -IRHLF7970Z4  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/07/04  
12345678

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与IRHLF730Z4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLF730Z4PBF INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRHLF730Z4SCS INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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