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IRHLF730Z4SCS

更新时间： 2024-09-16 14:51:35

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	201K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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IRHLF730Z4SCS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	1.6 A
最大漏源导通电阻：	0.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	RH - 300K Rad(Si)
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRHLF730Z4SCS 数据手册

PD-94695F

2N7621T2

IRHLF770Z4

60V, N-CHANNEL

TECHNOLOGY

RADIATION HARDENED

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-39)

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

IRHLF770Z4 100K Rads (Si)

IRHLF730Z4 300K Rads (Si)

0.6Ω

1.6A*

T0-39

International Rectifier’s R7^TMLogic Level Power

Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS

and TTL control circuits to power devices in space

and other radiation environments. The threshold

voltage remains within accptable operating limits

over the full operating temperature and post radiation.

This is achieved while maintaining single event gate

rupture and single event burnout immunity.

Features:

5V CMOS and TTL Compatible

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

These devices are used in applications such as

current boost low signal source in PWM, voltage

comparator and operational amplifiers.

Complimentary P-Channel Available -

IRHLF7970Z4

Pre-Irradiation

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current

1.6*

= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current

1.0*

6.4

Pulsed Drain Current À

@ T = 25°C

Max. Power Dissipation

5.0

W/°C

Linear Derating Factor

0.04

±10

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy Á

Avalanche Current À

6.9

1.6

Repetitive Avalanche Energy À

Peak Diode Recovery dv/dt Â

Operating Junction

0.5

V/ns

dv/dt

3.5

-55 to 150

Storage Temperature Range

°C

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in/1.6mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

* Derated to match the complimentary P-Channel logic level power MOSFET - IRHLF7970Z4

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

09/16/10

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