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IRHLG7670Z4

更新时间： 2024-09-16 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
16页 310K
描述
RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)

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IRHLG7670Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：13 mJ配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.07 A
最大漏极电流 (ID)：1.07 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-036AB
JESD-30 代码：R-CDIP-T14JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：14
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：4.28 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHLG7670Z4 数据手册

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PD-97191B  
2N7635M1  
IRHLG7670Z4  
60V, Combination 2N-2P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
THRU-HOLE (MO-036AB)  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level  
CHANNEL  
R
I
D
DS(on)  
1.07A  
-0.71A  
1.07A  
-0.71A  
0.6Ω  
1.25Ω  
0.6Ω  
N
P
N
P
IRHLG7670Z4  
100K Rads (Si)  
IRHLG7630Z4  
300K Rads (Si)  
1.25Ω  
MO-036AB  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing  
CMOS and TTL control circuits to power devices in  
space and other radiation environments. The  
threshold voltage remains within acceptable  
operating limits over the full operating temperature  
and post radiation. This is achieved while maintaining  
single event gate rupture and single event burnout  
immunity.  
Features:  
n
5V CMOS and TTL Compatible  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Parameter  
N-Channel  
1.07  
P-Channel  
-0.71  
-0.45  
-2.84  
1.0  
Units  
I @ V  
= ±4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
D
GS  
GS  
C
A
I @ V  
D
= ±4.5V, T =100°C Continuous Drain Current  
0.67  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
4.28  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
1.0  
W
W/°C  
V
C
0.01  
0.01  
V
±10  
±10  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current À  
13 Á  
1.07  
21 ²  
-0.71  
0.1  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction  
0.1  
mJ  
V/ns  
7.0 Â  
-14 ³  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)  
1.3 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/01/08  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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