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IRHLF640Z4

更新时间： 2024-11-04 22:24:03

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8页	150K
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RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET

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IRHLF640Z4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1.6 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRHLF640Z4 数据手册

PD - 94695

RADIATION HARDENED

LOGIC LEVEL POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-39)

IRHLF670Z4

60V, N-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

IRHLF670Z4 100K Rads (Si)

IRHLF630Z4 300K Rads (Si)

IRHLF640Z4 600K Rads (Si)

0.5Ω

1.6A*

IRHLF680Z4 1000K Rads (Si) 0.5Ω

T0-39

International Rectifier’s R6^TMLogic Level Power

Mosfets provide simple solution to interfacing CMOS

and TTL control circuits to power devices in space

and other radiation environments. The threshold

voltage remains within accptable operating limits

over the full operating temperature and post radia-

tion. This is achieved while maintaining single event

gate rupture and single event burnout immunity.

Features:

5V CMOS and TTL Compatible

Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Light Weight

Complimentary P-Channel Available -

IRHLF6970Z4

These devices are used in applications such as cur-

rent boost low signal source in PWM, voltage com-

parator and operational amplifiers.

Pre-Irradiation

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current

1.6*

= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current

1.0*

6.4

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

5.0

W/°C

Linear Derating Factor

0.04

±10

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

9.0

1.6

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

0.5

V/ns

dv/dt

3.5

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063in/1.6mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

* Derated to match the Complimentary P-Channel Logic Level Power Mosfet -IRHLF6970Z4

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

07/07/03

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHLF640Z4PBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRHLF670Z4	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET
IRHLF670Z4PBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRHLF680Z4	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET
IRHLF680Z4PBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRHLF6930Z4	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHLF6970Z4	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHLF6970Z4PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRHLF730Z4	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)
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