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IRHLA7970Z4

更新时间： 2024-11-06 11:10:03
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 224K
描述
RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (14-LEAD FLAT PACK

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IRHLA7970Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：HERMETIC SEALED, FLAT PACK-14Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.56 A最大漏极电流 (ID)：0.56 A
最大漏源导通电阻：1.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-F14JESD-609代码：e0
元件数量：4端子数量：14
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHLA7970Z4 数据手册

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PD-97306  
2N7630M2  
IRHLA7970Z4  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
THRU-HOLE (14-LEAD FLAT PACK)  
60V, Quad P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on) ID  
IRHLA7970Z4 100K Rads (Si) 1.36Ω -0.56A  
IRHLA7930Z4 300K Rads (Si) 1.36Ω -0.56A  
14-Lead Flat Pack  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power  
MOSFETs provide simple solution to interfacing  
CMOS and TTL control circuits to power devices in  
space and other radiation environments. The  
threshold voltage remains within acceptable operating  
limits over the full operating temperature and post  
radiation. This is achieved while maintaining single  
event gate rupture and single event burnout immunity.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Complimentary N-Channel Available -  
IRHLA770Z4  
These devices are used in applications such as  
current boost low signal source in PWM, voltage  
comparator and operational amplifiers.  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -4.5V, T =25°C  
Continuous Drain Current  
-0.56  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -4.5V, T =100°C Continuous Drain Current  
-0.35  
-2.24  
0.6  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.005  
±10  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
GS  
E
AS  
26  
mJ  
A
I
-0.56  
0.06  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-5.79  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
°C  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.63 in./1.6 mm from case for 10s)  
0.52 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/17/08  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLF630Z4 INFINEON

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