5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHG3110 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRHG3214 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
|
| IRHG3214PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 250V, 2.4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHG4110 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) |
|
| IRHG4110PBF | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IRHG4214 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
|
| IRHG4214PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 250V, 2.4ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRHG53110 | INFINEON |
获取价格 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036) |
|
| IRHG53110PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.29ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRHG53110SCS | INFINEON |
获取价格 |
100V 100kRad Hi-Rel Quad N -Channel TID Hardened MOSFET in a MO-036AB package - Standard P |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
