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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.25 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHF8210PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF8230 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR |
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| IRHF8234 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF8234PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF9130 | INFINEON |
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TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
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| IRHF9230 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET |
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| IRHF9230PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRHF9230SCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRHF93130 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.30ohm, Id=-6.5A) |
|
| IRHF93130PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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