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IRHF8210

更新时间: 2024-11-18 18:30:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体管
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1页 32K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

IRHF8210 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.76其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (ID):2.25 A最大漏源导通电阻:1.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRHF8210 数据手册

  

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