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IRHF8234

更新时间: 2024-11-19 04:41:19
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1页 32K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

IRHF8234 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.39其他特性:RADIATION HARDENED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:250 V
最大漏极电流 (ID):4.8 A最大漏源导通电阻:0.48 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-205AF
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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