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IRHF9230

更新时间： 2024-09-14 04:23:11
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 131K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET

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IRHF9230 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TO-39, 3 PINReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：171 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.92 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：25 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRHF9230 数据手册

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PD - 91312E  
IRHF9230  
JANSR2N7390  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
200V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/630  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF9230  
100K Rads (Si)  
0.80Ω  
0.80Ω  
-4.0A  
JANSR2N7390  
IRHF93230 300K Rads (Si)  
-4.0A  
JANSF2N7390  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTM technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-39  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
ProtonTolerant  
SimpleDriveRequirements  
EaseofParalleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
LightWeight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-4.0  
-2.4  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-16  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
25  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
171  
mJ  
A
AS  
I
-4.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-27  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
0.98 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
2/18/03  
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