5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> JANSR2N7390
JANSR2N7390 PDF预览

JANSR2N7390

更新时间： 2024-09-14 03:38:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 131K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

JANSR2N7390 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：171 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.92 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-205AFJESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/630
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

JANSR2N7390 数据手册

 浏览型号JANSR2N7390的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANSR2N7390的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANSR2N7390的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANSR2N7390的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANSR2N7390的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JANSR2N7390的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91312E  
IRHF9230  
JANSR2N7390  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
200V, P-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/630  
RAD-Hard™HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF9230  
100K Rads (Si)  
0.80Ω  
0.80Ω  
-4.0A  
JANSR2N7390  
IRHF93230 300K Rads (Si)  
-4.0A  
JANSF2N7390  
International Rectifier’s RAD-Hard HEXFETTM technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rds(on) and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
TO-39  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
LowTotal Gate Charge  
ProtonTolerant  
SimpleDriveRequirements  
EaseofParalleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
LightWeight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-4.0  
-2.4  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
-16  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
25  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
171  
mJ  
A
AS  
I
-4.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-27  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)  
0.98 (typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
2/18/03  
12345678

中文翻译

下载PDF

JANSR2N7390 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANSF2N7390 INFINEON

完全替代

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHF93230 INFINEON

功能相似

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET
IRHF9230 INFINEON

功能相似

 RADIATION HARDENED POWER MOSFET

与JANSR2N7390相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANSR2N7390U INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -200V, -4A, single, P-channel MOSFET, R4 in an 18-pin LCC packageage - 18-pin LC
JANSR2N7391 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=22A)
JANSR2N7392 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU - HOLE ( TO - 254AA )
JANSR2N7394 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 60V, 35A, single, N-channel MOSFET, R4 in a TO-254AA package - TO-254AA, 100 kra
JANSR2N7394D INFINEON

获取价格

 		暂无描述
JANSR2N7394U INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-1)
JANSR2N7395 INTERSIL

获取价格

 		8A, 100V, 0.230 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7396 INTERSIL

获取价格

 		5A, 200V, 0.460 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7397 INTERSIL

获取价格

 		4A, 250V, 0.610 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET
JANSR2N7398 INTERSIL

获取价格

 		2A, 500V, 2.50 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFET

与JANSR2N7390相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证