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IRHF7430SESCS

更新时间： 2024-11-19 08:03:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 126K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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IRHF7430SESCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75雪崩能效等级（Eas）：148 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：1.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHF7430SESCS 数据手册

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PD - 91863B  
IRHF7430SE  
JANSR2N7464T2  
500V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
REF: MIL-PRF-19500/676  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHF7430SE 100K Rads (Si)  
1.65Ω  
2.6A JANSR2N7464T2  
TO-39  
International Rectifier’s RADHardTM HEXFET® MOSFET  
technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been characterized  
for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The  
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC to  
DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such  
as voltage control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Neuton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
2.6  
D
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
1.6  
10.4  
25  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
148  
mJ  
A
AS  
I
2.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
8.0  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10 sec.)  
0.98 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
4/27/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHF7430SESCSPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHF8110 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE
IRHF8110PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHF8110SCV INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor,
IRHF8130 INFINEON

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 		REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR
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