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IRHF57230SESCS PDF预览

IRHF57230SESCS

更新时间： 2024-11-05 20:43:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 127K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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IRHF57230SESCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：130 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHF57230SESCS 数据手册

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PD - 93857A  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
IRHF57230SE  
200V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHF57230SE 100K Rads (Si)  
0.24Ω  
7.0A  
TO-39  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Features:  
n Single Event Effect (SEE) Hardened  
n Ultra Low RDS(on)  
n Neutron Tolerant  
n Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
n Repetitive Avalanche Ratings  
n
Dynamic dv/dt Ratings  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
7.0  
4.5  
28  
D
GS  
C
A
I
D
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max.Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-SourceVoltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
25  
W
W/°C  
V
D
C
0.2  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
130  
7.0  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.2  
T
-55 to 150  
J
T
STG  
StorageTemperature Range  
oC  
Lead Temperature  
Weight  
300 ( 0.063 in./1.6mm from case for 10s)  
0.98(Typical)  
g
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/08/00  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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