生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.72 |
雪崩能效等级(Eas): | 30 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 2.6 A |
最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-205AF | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 15 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10.4 A | 参考标准: | MIL-19500 |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 125 ns |
最大开启时间(吨): | 40 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRHF597110SCS | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, |
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IRHF597130 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF597130SCS | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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IRHF597230 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF597230SCS | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, |
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IRHF63230 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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