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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.25 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHF7210PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF7230 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?? TRANSISTOR |
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| IRHF7234 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF7234PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRHF7310 | ETC |
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| IRHF7310SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=4.5ohm, Id=1.15A) |
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| IRHF7330SE | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-205AF) |
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| IRHF7330SEPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRHF7330SESCSPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRHF7430SE | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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