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IRHF597230SCS

更新时间： 2024-01-09 10:29:41

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
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8页	363K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRHF597230SCS 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-CBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	157 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	0.54 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-205AF	JESD-30 代码：	O-CBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	参考标准：	MIL-19500
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	170 ns
最大开启时间（吨）：	55 ns	Base Number Matches：	1

IRHF597230SCS 数据手册

PD-94550A

IRHF597230

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE TO-205AF (TO-39)

200V, P-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

I_D

IRHF597230

IRHF593230

100 kRads(Si)

300 kRads(Si)

-4.5A

0.54

TO-39

Features

Description

IR HiRel R5 technology provides high performance power

MOSFETs for space applications. These devices have

been characterized for both Total Dose and Single Event

Effect (SEE) with useful performance up to LET of 80 (MeV/

(mg/cm²). The combination of low RDS(on) and low gate

charge reduces the power losses in switching applications

such as DC-DC converters and motor controllers. These

devices retain all of the well established advantages of

MOSFETs such as voltage control, fast switching, ease of

paralleling and temperature stability of electrical parameters.

 Single Event Effect (SEE) Hardened

 Low RDS(on)

 Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Ease of Paralleling

 Hermetically Sealed

 Electrically Isolated

 Ceramic Package

 Light Weight

 Surface Mount

 ESD Rating: Class 3A per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pre-Irradiation

Units

-4.5

I_D@ V_GS= -12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= -12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-3.0

-18

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

0.2

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

± 20

157

V_GS

E_AS

I_AR

-4.5

2.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-25

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

Weight

For Footnotes, refer to the page 2.

2017-01-30

12 3 4 5 6 7 8

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与IRHF597230SCS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHF63230	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)	获取价格
IRHF67130	INFINEON	Rad hard, 100V, 12A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 kr	获取价格
IRHF67130SCS	INFINEON	Rad hard, 100V, 12A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 kr	获取价格
IRHF67230	INFINEON	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)	获取价格
IRHF67230_15	INFINEON	Simple Drive Requirements	获取价格
IRHF67230SCS	INFINEON	Rad hard, 200V, 9.1A, single, N-channel MOSFET, R6 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 k	获取价格

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