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IRHF597130

更新时间： 2024-01-01 10:42:51
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英飞凌 - INFINEON /
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8页 204K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)

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IRHF597130 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-CBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：6.7 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-CBCY-W3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26.8 A参考标准：RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHF597130 数据手册

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ꢁ
PD-96963  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
IRHF597130  
100V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHF597130 100K Rads (Si)  
IRHF593130 300K Rads (Si)  
0.24Ω -6.7A  
0.24Ω -6.7A  
TO-39  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T =25°C Continuous Drain Current  
-6.7  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T =100°C Continuous Drain Current  
-4.3  
-26.8  
25  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.2  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
240  
mJ  
A
AS  
I
-6.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
2.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-17  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in./1.6 mm from case for 10s)  
0.98 (Typical )  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
09/26/05  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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