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IRHF593110

更新时间： 2024-01-31 13:09:12
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)

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IRHF593110 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.39雪崩能效等级（Eas）：30 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-205AF
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHF593110 数据手册

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PD - 94176C  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-39)  
IRHF597110  
100V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHF597110 100K Rads (Si)  
IRHF593110 300K Rads (Si)  
1.0Ω  
1.0Ω  
-2.6A  
-2.6A  
TO-39  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Neutron Tolerant  
Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions  
Repetitive Avalanche Ratings  
Dynamic dv/dt Ratings  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-2.6  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-1.6  
-10.4  
15  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/°C  
V
D
C
0.12  
±20  
V
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
30  
mJ  
A
AS  
I
-2.6  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
1.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
6.6  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063 in./1.6mm from case for 10s)  
0.98 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
12/03/03  
12345678

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