是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-257AA |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XSFM-P3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.19 | 雪崩能效等级(Eas): | 110 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-257AA | JESD-30 代码: | R-XSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRHF58130 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF58130PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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IRHF58230 | INFINEON | RADIATION GARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF58Z30 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF58Z30CM | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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IRHF593110 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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