是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-257AA |
包装说明: | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.32 | 其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas): | 177 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-257AA | JESD-30 代码: | S-CSFM-P3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 72 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRHF593110 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF593110PBF | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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IRHF593130 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF593130SCS | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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IRHF593230 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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IRHF597110 | INFINEON | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
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