IRHF57130PBF

更新时间： 2024-11-18 13:08:51

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IRHF57130PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-39, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	173 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	11.7 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-205AF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	47 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRHF57130PBF 数据手册

PD - 93789A

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-39)

IRHF57130

100V, N-CHANNEL

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

IRHF57130

IRHF53130

IRHF54130

IRHF58130

100K Rads (Si)

300K Rads (Si)

600K Rads (Si)

0.08Ω 11.7A

1000K Rads (Si) 0.10Ω 11.7A

TO-39

International Rectifier’s R5^TMtechnology provides

high performance power MOSFETs for space appli-

cations. These devices have been characterized for

Single Event Effects (SEE) with useful performance

up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm²)). The combination

of low RDS(on) and low gate charge reduces the power

losses in switching applications such as DC to DC

converters and motor control. These devices retain

all of the well established advantages of MOSFETs

such as voltage control, fast switching, ease of paral-

leling and temperature stability of electrical param-

eters.

Features:

n Single Event Effect (SEE) Hardened

n Ultra Low RDS(on)

n Neutron Tolerant

n Identical Pre- and Post-Electrical Test Conditions

n Repetitive Avalanche Ratings

Dynamic dv/dt Ratings

n Simple Drive Requirements

n Ease of Paralleling

n Hermetically Sealed

Absolute Maximum Ratings

Pre-Irradiation

Parameter

Units

@ V

= 12V, T = 25°C

Continuous Drain Current

11.7

7.4

= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

@ T = 25°C

W/°C

0.2

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➁

Avalanche Current ➀

173

11.7

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➂

Operating Junction

2.5

V/ns

dv/dt

4.9

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300 (0.063 in./1.6mm from case for 10s)

0.98 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

3/2/00

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRHF57133SE	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)
IRHF57133SEPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 130V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHF57214SE	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)
IRHF57214SESCS	INFINEON	获取价格	Rad hard, 250V, 2.2A, single, N-channel MOSFET, R5 in a TO-205AF package - TO-205AF, 100 k
IRHF57230	INFINEON	获取价格	RADIATION GARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39)
IRHF57230PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHF57230SCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRHF57230SE	INFINEON	获取价格	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE ( TO-39)
IRHF57230SEPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRHF57230SESCS	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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