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IRFZ44ELPBF

更新时间： 2024-11-21 03:10:03
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 231K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFZ44ELPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.61
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：220 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：48 A最大漏极电流 (ID)：48 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-262AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：192 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ44ELPBF 数据手册

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PD - 95572  
IRFZ44ESPbF  
IRFZ44ELPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRFZ44ES)  
l Low-profile through-hole (IRFZ44EL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 60V  
R
DS(on) = 0.023Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 48A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device  
design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die  
sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest  
possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is  
suitable for high current applications because of its low internal connection  
resistance and can dissipate up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRFZ44EL) is available for low-profile applications.  
2
TO-262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
48  
34  
A
192  
110  
0.71  
± 20  
220  
29  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.4  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
07/19/04  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
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