IRFZ34NPBF

更新时间： 2024-09-10 04:23:15

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HEXFET Power MOSFET

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IRFZ34NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.59
雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	29 A	最大漏极电流 (ID)：	29 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFZ34NPBF 数据手册

PD - 94807

IRFZ34NPbF

HEXFET^®Power MOSFET

ꢀ Advanced Process Technology

ꢀ Ultra Low On-Resistance

ꢀ Dynamic dv/dt Rating

ꢀ 175°C Operating Temperature

ꢀ Fast Switching

V_DSS= 55V

_DS(on)= 0.040Ω

ꢀ Ease of Paralleling

I_D= 29A

ꢀ Lead-Free

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced

processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per

silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,

providesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinawidevariety

of applications.

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial

applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low

thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

TO-220AB

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

100

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current ꢁ

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.45

± 20

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢂ

Avalanche Currentꢁ

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energyꢁ

Peak Diode Recovery dv/dt ꢃ

Operating Junction and

6.8

5.0

V/ns

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 srew

°C

300 (1.6mm from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient

Min.

Typ.

Max.

2.2

––––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

––––

0.50

––––

°C/W

www.irf.com

11/3/03

12 3 4 5 6 7 8

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IRFZ34NPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRFZ34N	INFINEON	类似代替	汽车Q101 55V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO
IRFZ44ZPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
IRFZ24NPBF	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

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IRFZ34NS	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ34NSTRL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 29A I(D) \| TO-263AB
IRFZ34NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ34NSTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 29A I(D) \| TO-263AB
IRFZ34NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	advanced process technology
IRFZ34PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ34PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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