IRFZ34SPBF

更新时间： 2024-11-21 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1009K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFZ34SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.02	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	88 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFZ34SPBF 数据手册

IRFZ34S, IRFZ34L, SiHFZ34S, SiHFZ34L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.050

RoHS*

• Low-Profile Through-Hole (IRFZ34L/SiHFZ34L)

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

The D²PAKis a surface mount power package capable of

accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of its

low internal connection resistance and can dissipate up to 2

W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

The through-hole version (IRFZ34L/SiHFZ34L) is available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFZ34SPbF

SiHFZ34S-E3

IRFZ34S

D²PAK (TO-263)

IRFZ34STRLPbF^a

SiHFZ34STLPbF^a

IRFZ34STRL^a

I²PAK (TO-263)

IRFZ34LPbF

SiHFZ34L-E3

IRFZ34L

IRFZ34STRRPbF^a

SiHFZ34STRPbF^a

IRFZ34STRR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ34S

SiHFZ34STR^a

SiHFZ34STL^a

SiHFZ34L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

120

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

0.59

200

3.7

W/°C

E_AS

P_D

_C= 25 °C

Maximum Power Dissipation

V/ns

°C

T_A= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

- 55 to + 175

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, Starting T_J= 25 °C, L = 260 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 30 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 30 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFZ34/SiHFZ34 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 90368

S-Pending-Rev. A, 22-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与IRFZ34SPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ34STRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34V	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220AB
IRFZ34VL	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFZ34VLPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ34VPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ34VS	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRFZ34VSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

与IRFZ34SPBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFZ34SPBF

IRFZ34SPBF 技术参数

IRFZ34SPBF 数据手册

与IRFZ34SPBF相关器件

与IRFZ34SPBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFZ34SPBF

IRFZ34SPBF 技术参数

IRFZ34SPBF 数据手册

与IRFZ34SPBF相关器件

与IRFZ34SPBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？