5秒后页面跳转
IRFZ35-012 PDF预览

IRFZ35-012

更新时间: 2024-09-16 05:50:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFZ35-012 数据手册

  

与IRFZ35-012相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ35-012PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ35-013 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ35-013PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFZ40 SAMSUNG

获取价格

N-CHANNEL POWER MOSFETS
IRFZ40 VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFZ40 MOTOROLA

获取价格

Power Field Effect Transistors
IRFZ40 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRFZ40 NJSEMI

获取价格

Trans MOSFET N-CH 50V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFZ40-001PBF INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-002 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met