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IRFZ40

更新时间： 2024-11-02 11:57:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1480K
描述
Power MOSFET

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IRFZ40 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFZ40 数据手册

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IRFZ40, SiHFZ40  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
R
DS(on) ()  
VGS = 10 V  
0.028  
Qg (Max.) (nC)  
67  
18  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Simple Drive Requirements  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
25  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
TO-220AB  
G
The TO-220AB package is universially preferred for  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220AB contribute to its  
wide acceptance throughout the industry.  
S
S
N-Channel MOSFET  
D
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
IRFZ40PbF  
SiHFZ40-E3  
IRFZ40  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFZ40  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
60  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Currente  
VDS  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC = 100 °C  
50  
VGS at 10 V  
ID  
Continuous Drain Current  
36  
200  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
EAS  
PD  
100  
TC = 25 °C  
150  
W
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.5  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d  
- 55 to + 175  
300  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 44 μH, Rg = 25 , IAS = 51 A (see fig. 12).  
c. ISD 51 A, dI/dt 250 A/μs, VDD VDS, TJ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. Current limited by the package, (die current = 51 A).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91385  
S11-0520-Rev. B, 21-Mar-11  
www.vishay.com  
1
This datasheet is subject to change without notice.  
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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IRFZ40 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFZ40PBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET
SIHFZ40-E3 VISHAY

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFZ40-001PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-002 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-004 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-004PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-005 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-005PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFZ40-006 INFINEON

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 		50A, 50V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFZ40-009 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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