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IRFZ40FI

更新时间： 2024-11-05 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
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9页 184K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

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IRFZ40FI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ISOWATT220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.62
雪崩能效等级（Eas）：400 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：27 A最大漏极电流 (ID)：27 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：300 pFJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：40 W最大功率耗散 (Abs)：45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：110 ns
最大开启时间（吨）：195 nsBase Number Matches：1

IRFZ40FI 数据手册

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IRFZ40  
IRFZ40FI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTORS  
TYPE  
IRFZ40  
IRFZ40FI  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
50 V  
50 V  
< 0.028 Ω  
< 0.028 Ω  
50 A  
27 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.022 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
TO-220  
ISOWATT220  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
IRFZ40  
50  
IRFZ40FI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (cont.) at Tc = 25 oC  
Drain Current (cont.) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
50  
50  
V
V
50  
± 20  
V
50  
35  
27  
19  
A
ID  
A
I
DM(•)  
200  
150  
1
200  
45  
A
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
W
W/oC  
Derating Factor  
0.3  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
-65 to 175  
175  
oC  
oC  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/9  
July 1993  
1234567...9

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