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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.47 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ35-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ40 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFZ40 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFZ40 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Field Effect Transistors |
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| IRFZ40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRFZ40 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 50V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRFZ40-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFZ40-002 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFZ40-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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