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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ35-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ40 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFZ40 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFZ40 | MOTOROLA |
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Power Field Effect Transistors |
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| IRFZ40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS |
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| IRFZ40 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 50V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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