5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 25 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ35-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-010 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-010PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-011 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-011PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-012 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-012PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFZ35-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
