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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ35-010 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-011 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-011PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-012PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ35-013PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFZ40 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRFZ40 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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