是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | PLASTIC, D2PAK-3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.26 | 其他特性: | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 130 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (ID): | 29 A | 最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFZ34NSPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFZ34NSTRRPBF | INFINEON |
功能相似 |
advanced process technology |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFZ34NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFZ34NSTRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-263AB | |
IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFZ34NSTRR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 29A I(D) | TO-263AB | |
IRFZ34NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
advanced process technology | |
IRFZ34PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFZ34PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFZ34PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFZ34S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFZ34S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |