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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 0.62 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 88 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ44ZPBF | INFINEON |
功能相似  |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
|
| STP36NF06L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFZ34S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFZ34S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFZ34S, IRFZ34L, SiHFZ34S, SiHFZ34L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34S_11 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34STRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34STRR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34STRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFZ34V | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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