IRFZ34PBF

更新时间： 2024-09-14 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFZ34PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.62
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFZ34PBF 数据手册

IRFZ34, SiHFZ34

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.050

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFZ34PbF

SiHFZ34-E3

IRFZ34

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFZ34

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

Gate-Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

120

Linear Derating Factor

0.59

200

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

E_AS

P_D

_C= 25 °C

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 259 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 30 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 30 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91290

S-81366-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRFZ34PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFZ44ZPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) =
STP36NF06L	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 60V - 0.032ohm - 30A - TO-220 - D2PAK STripFET TM II Power MOSFET

与IRFZ34PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFZ34S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34S	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFZ34S, IRFZ34L, SiHFZ34S, SiHFZ34L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34S_11	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34STRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFZ34V	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220AB

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