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IRFZ34NSTRLPBF

更新时间： 2024-11-02 20:54:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 302K
描述
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRFZ34NSTRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.61其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：130 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A最大漏极电流 (ID)：29 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：68 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFZ34NSTRLPBF 数据手册

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PD - 95571  
IRFZ34NSPbF  
IRFZ34NLPbF  
l Advanced Process Technology  
l SurfaceMount(IRFZ34NS)  
l Low-profilethrough-hole(IRFZ34NL)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.040Ω  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
G
ID = 29A  
Description  
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs  
arewellknownfor, providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRFZ34NL) is available for low-  
profileapplications.  
2
TO-262  
D
Pak  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
29  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
20  
A
100  
3.8  
68  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.45  
± 20  
130  
16  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
5.6  
5.0  
mJ  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
––––  
Max.  
2.2  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB mount) **  
––––  
40  
www.irf.com  
1
07/19/04  
1234567...11

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