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IRFR4104TRLPBF

更新时间： 2024-11-24 20:45:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 321K
描述
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR4104TRLPBF 数据手册

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PD - 95425B  
IRFR4104PbF  
IRFU4104PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
l
Advanced Process Technology  
VDSS = 40V  
UltraLowOn-Resistance  
175°COperatingTemperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 5.5mΩ  
G
ID = 42A  
S
Description  
This HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest  
processing techniques to achieve extremely low on-  
resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthis  
design are a 175°C junction operating temperature,  
fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveavalanche  
rating . These features combine to make this design  
anextremelyefficientandreliabledeviceforuseina  
wide variety of applications.  
D-Pak  
IRFR4104PbF  
I-Pak  
IRFU4104PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
119  
D
D
D
@ T = 100°C  
C
84  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
480  
140  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.95  
± 20  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
145  
310  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.05  
40  
Units  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
JC  
JA  
JA  
°C/W  
Junction-to-Ambient  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
09/21/10  
1234567...11

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IRFR4104TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRFR3504 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 40V, 0.0092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4104TRPBF INFINEON

类似代替

 Advanced Process Technology
IRFR4104PBF INFINEON

类似代替

 HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) =

与IRFR4104TRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFR4104TRPBF INFINEON

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 		Advanced Process Technology
IRFR4104TRR KERSEMI

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 		AUTOMOTIVE GRADE
IRFR4104TRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFR4105 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=2
IRFR4105 KERSEMI

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR4105PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRFR4105PBF KERSEMI

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 		Ultra Low On-Resistance
IRFR4105TR INFINEON

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 		暂无描述
IRFR4105TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFR4105TRL INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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