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IRFP360LCPBF

更新时间： 2024-02-16 02:04:46

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	260K
描述
Power MOSFET

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IRFP360LCPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	23 A
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	280 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFP360LCPBF 数据手册

IRFP360LC, SiHFP360LC

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

• Ultra Low Gate Charge

• Reduced Gate Drive Requirement

• Enhanced 30 V V_GSRating

• Reduced C_iss, C_oss, C_rss

• Isolated Central Mounting Hole

• Dynamic dV/dt Rated

V_DS(V)

400

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.20

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

110

_gs(nC)

_gd(nC)

• Repetitive Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-247

This new series of low charge Power MOSFETs achieve

significantly lower gate charge over convertional MOSFETs.

Utilizing advanced MOSFETs technology the device

improvements allow for reduced gate drive requirements,

faster switching speeds and increased total system savings.

These device improvements combined with the proven

ruggedness and reliability of MOSFETs offer the designer a

new standard in power transistors for switching applications.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mounting

hole.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFP360LCPbF

SiHFP360LC-E3

IRFP360LC

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFP360LC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

400

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

2.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1200

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

280

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.0 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 23 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 23 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91227

S-Pending-Rev. A, 24-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFP360PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP360PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFP362	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IRFP3703PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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IRFP3710HR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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