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IRFL024NPBF

更新时间： 2024-09-28 04:23:23
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 135K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRFL024NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：0.075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFL024NPBF 数据手册

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PD - 95339  
IRFL024NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 0.075Ω  
G
ID = 2.8A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
4.0  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
2.8  
A
2.3  
11.2  
2.1  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 20  
214  
2.8  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
0.1  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
5.0  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Typ.  
90  
Max.  
120  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
50  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
05/28/04  
12345678

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IRFL024NPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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