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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRFL024N
IRFL024N PDF预览

IRFL024N

更新时间： 2024-09-27 22:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=2.8A)

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IRFL024N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.07
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.075 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFL024N 数据手册

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PD - 91861A  
IRFL024N  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
D
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.075Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 2.8A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
S O T -223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
4.0  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
2.8  
A
2.3  
11.2  
2.1  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
W
W
1.0  
8.3  
mW/°C  
V
VGS  
± 20  
214  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
2.8  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
0.1  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
5.0  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Typ.  
90  
Max.  
120  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
50  
60  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
6/15/99  
12345678

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IRFL024N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223
IRFL024NTRPBF INFINEON

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 		Advanced Process Technology
IRFL024Z INFINEON

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