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IRFL014NPBF

更新时间： 2024-11-16 04:23:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 159K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFL014NPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
最大漏极电流 (ID)：1.9 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-261AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFL014NPBF 数据手册

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PD- 95352  
IRFL014NPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Surface Mount  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
D
VDSS = 55V  
R
DS(on) = 0.16Ω  
G
ID = 1.9A  
S
Description  
Fifth Generation HEXFET MOSFETs from International  
®
Rectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve  
extremelylow on-resistancepersiliconarea. Thisbenefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
®
device design that HEXFET power MOSFETs are well  
knownfor,providesthedesignerwithanextremelyefficient  
andreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications.  
The SOT-223 package is designed for surface-mount  
usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.  
Its unique package design allows for easy automatic pick-  
and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performance  
due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation  
of 1.0W is possible in a typical surface mount application.  
SOT-223  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
2.7  
1.9  
1.5  
15  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V**  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V*  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation (PCB Mount)**  
Power Dissipation (PCB Mount)*  
Linear Derating Factor (PCB Mount)*  
Gate-to-Source Voltage  
2.1  
1.0  
8.3  
± 20  
48  
W
W
mW/°C  
V
VGS  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
IAR  
1.7  
0.1  
5.0  
EAR  
Repetitive Avalanche Energy*  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
mJ  
V/ns  
°C  
dv/dt  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)*  
Junction-to-Amb. (PCB Mount, steady state)**  
Typ.  
90  
Max.  
120  
60  
Units  
RθJA  
RθJA  
°C/W  
50  
* When mounted on FR-4 board using minimum recommended footprint.  
** When mounted on 1 inch square copper board, for comparison with other SMD devices.  
www.irf.com  
1
06/07/04  
12345678

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