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IRFH8318TRPBF

更新时间： 2024-11-20 12:28:11

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英飞凌 - INFINEON		转换器
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9页	256K
描述
Synchronous MOSFET for high frequency buck converters

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IRFH8318TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.89	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.0031 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	59 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFH8318TRPBF 数据手册

PD - 97649C

IRFH8318PbF

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

V_{gs max}

± 20

R_{DS(on) max}

(@V_GS= 10V)

(@V_GS= 4.5V)

3.1

4.6

Q_{g typ}

PQFN 5X6 mm

I_D

(@T_c(Bottom)= 25°C)

Applications

• Synchronous MOSFET for high frequency buck converters

FeaturesandBenefits

Features

Benefits

Low Thermal Resistance to PCB (< 1.7°C/W)

Low Profile (<1.2mm)

Enable better thermal dissipation

results in Increased Power Density

⇒

Industry-Standard Pinout

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen

MSL1, Consumer Qualification

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

Orderable part number

Package Type

Standard Pack

Form

Tape and Reel

Note

Quantity

4000

IRFH8318TRPBF

IRFH8318TR2PBF

PQFN 5mm x 6mm

400

Absolute Maximum Ratings

Max.

Parameter

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

± 20

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

120

@ T_C(Bottom)= 25°C

@ T_C(Bottom)= 100°C

@ T_C= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V (Package Limited)

Pulsed Drain Current

400

3.6

Power Dissipation

@T_A= 25°C

Power Dissipation

@T_C(Bottom)= 25°C

Linear Derating Factor

Operating Junction and

Storage Temperature Range

0.029

-55 to + 150

W/°C

°C

STG

Notes through are on page 9

www.irf.com

03/30/12

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFH8321TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET
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