5秒后页面跳转
IRFBC40PBF PDF预览

IRFBC40PBF

更新时间: 2024-10-15 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 3563K
描述
HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A)

IRFBC40PBF 数据手册

 浏览型号IRFBC40PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFBC40PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFBC40PBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFBC40PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFBC40PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFBC40PBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94955  
IRFBC40PbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
01/29/04  

与IRFBC40PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFBC40R ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-220AB
IRFBC40S INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
IRFBC40S VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBC40S, SiHFBC40S, IRFBC40L, SiHFBC40L VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBC40SPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBC40SPBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBC40STRL VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBC40STRLPBF VISHAY

获取价格

Power MOSFET
IRFBC40STRR VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC40STRRPBF VISHAY

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met